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Unshielded/ha protetto il tipo bene durevole dell'induttore NRV2012T2R2MGF V del chip di alto potere SMD

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Guangdong, Shenzhen

Marca: Shareway

Certificazione: RoHS,ISO9001-2001

Numero di modello: NRV2012T2R2MGF

Termini di trasporto & di pagamento

Quantità di ordine minimo: 500/1000

Prezzo: Supportive

Imballaggi particolari: Bobina/vassoio

Tempi di consegna: Azione o 3 settimane

Termini di pagamento: TT, paypal, West union

Capacità di alimentazione: 1kk-pcs/month

Ottenga il migliore prezzo
Punto culminante:

induttori arrotolati del chip del cavo

,

induttori a corrente forte di potere

numero parte:
Induttore Unshielded del chip di alto potere schermato NRV2012T2R2MGF SMD
Serie:
Serie di NR
Tipo:
V TIPO
Induttanza:
2,2 uH ± 20%
Dimensione di caso:
2.0x2.0 millimetro
Corrente nominale:
1,2 A
numero parte:
Induttore Unshielded del chip di alto potere schermato NRV2012T2R2MGF SMD
Serie:
Serie di NR
Tipo:
V TIPO
Induttanza:
2,2 uH ± 20%
Dimensione di caso:
2.0x2.0 millimetro
Corrente nominale:
1,2 A
Unshielded/ha protetto il tipo bene durevole dell'induttore NRV2012T2R2MGF V del chip di alto potere SMD

Induttore Unshielded del chip di alto potere schermato NRV2012T2R2MGF SMD


Descrizione:

Marca Shareway
Numero del pezzo NRV2012T2R2MGF
Induttanza 2,2 uH ± 20%
Dimensione di caso (millimetro) 2.0x2.0
Corrente nominale (massima) 1,2 A
Corrente di saturazione (massima) 1,6 A (⊿L=30%)
Corrente di saturazione (tipo) 1,7 A (⊿L=30%)
Corrente di aumento di temperatura (massima) 1,2 A (⊿T=40℃)
Corrente di aumento di temperatura (tipo) A 1,35 (⊿T=40℃)
Resistenza di CC (massima) 0,1548 Ω
Resistenza di CC (tipo) 0,129 Ω
Frequenza di misurazione di LQ 100 chilocicli
Impiegati di funzionamento. Gamma ℃ -25 - +120
(calore Compreso-auto-generato)

Caratteristica di temperatura

(Cambiamento di induttanza)

± 20%
Conformità di RoHS (subst 10.)

 


Dimensioni:

Unshielded/ha protetto il tipo bene durevole dell'induttore NRV2012T2R2MGF V del chip di alto potere SMD 0